2N6188
Microchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | 2N6188 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Micrel / Microchip Technology |
Teil der Beschreibung.: | POWER BJT |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
100+ | $287.865 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 100µA, 2mA |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | TO-59 |
Serie | - |
Leistung - max | 60 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-210AA, TO-59-4, Stud |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Stud Mount |
Frequenz - Übergang | - |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | - |
Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 10 A |
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
POWER BJT
TRANS PNP 100V 5A TO39
POWER BJT
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
POWER BJT
POWER BJT
ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR
ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR
ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR
ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR
POWER BJT
POWER BJT
POWER BJT
POWER BJT
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
POWER BJT
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 2N6188Microchip Technology |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|